12月15日下午，北京市科委副主任张继红一行到中科院物理研究所（以下简称物理所）调研，参观了物理所成果展示区，考察了碳化硅晶体生长实验室，询问了碳化硅晶体的生长过程和技术难题，并就北京建设全国科技创新中心的有关情况、北京新材料产业的发展、第三代半导体技术和产业的发展等方面进行了专题交流和座谈。

座谈会上，文亚副所长介绍了物理所在科技成果转化方面的工作情况和成功经验，并结合北京新材料产业发展的现有基础和科研优势，提出了对北京推动第三代半导体产业集聚发展的工作建议。先进材料实验室主任陈小龙研究员介绍了物理所在第三代半导体材料碳化硅的研发创新、成果转化和产业化方面取得的成效，并就北京在碳化硅材料生产与应用研究方面的未来重点发展方向进行了分析。

目前，物理所已突破了4-6寸碳化硅单晶缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术，相关技术成果已在北京天科合达半导体有限公司进行了转化，在国内率先实现4寸碳化硅单晶和6英寸碳化硅单晶的产业化。经过多年的探索和实践，物理所在科技成果转化和产业化方面已积累了大量的经验，走出了具有自己特色的产学研紧密结合、推动科研优势向产业发展优势转变的有效道路。

张继红副主任带队与中科院物理研究所领导座谈并参观成果展示区

张继红副主任强调，近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体技术发展迅速，已逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向。希望物理所能够在推动第三代半导体技术和产业发展中主动发挥科研优势，加强技术创新和产业化关键技术攻关。以应用需求为牵引，加强与产业链下游单位间的合作与交流，推动产业链各环节协同发展。加强科研成果的在京转化和产业化，带动产业链上下游相关单位实现聚集发展。

市科委新能源与新材料处处长许心超等一同调研。