刘明，中国科学院院士，中国科学院微电子研究所研究员，973首席科学家，国家杰出青年基金获得者，第一个集成电路学科自然基金委的创新群体负责人。

长期以来以国家存储器研究的重大需求为导向，应用基础研究与产业化应用并举，注重产、学、研结合，为国家新型存储器和集成电路加工技术的发展做出重要贡献。建立了阻变存储器（RRAM）阻变模型，澄清了国际上对阻变动力学过程的争论；提出了掺杂改性和局域电场增强技术，成为提高RRAM性能的通用方案。开发了国内首款自主IP的8M纳米晶和1G NOR 型二款存储芯片。发展了集成电路加工技术，广泛应用到掩模制造、国家重大工程急需的器件领域。研究成果得到国际知名集成电路企业的关注，与国际上最大的离子注入设备生产公Varian 签订了协议，共同开展离子注入技术在RRAM 领域中的应用研究；与美国新型存储器企业Adesto 公司签订了联合研发协议，共同开展金属细丝型RRAM 的研发。和国内最大的集成电路制造商——中芯国际开展了前瞻性的合作研究，并得到了国内重要的半导体制造企业——上海华虹宏力以及武汉新芯的认可与肯定。与武汉新芯签订了专利实施许可合同，对研究过程中产生的核心自主知识产权进行license和进一步的应用开发。

刘琦，中国科学院微电子研究所研究员，国家优秀青年基金获得者，中国科学院青年促进会成员。

研究方向是微纳加工技术和新型微纳电子器件，在阻变存储器的性能优化、集成、微观机制的表征和建模上开展了系统的研究工作，取得的主要成果包括：1）提出了忆阻功能层掺杂的材料优化方案，解决了器件激活电压高、产率低和重复性差的难题；2）提出了“局域电场增强”的新器件设计思想，实现了导电通路生长的可控性，解决了忆阻器件参数离散影响集成的难题；3）发展了原位TEM表征技术，在氧化物基忆阻器中首次实时获得导电通路形成/破灭的动态过程，揭示了电致阻变的微观机制。在Nat. Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater.、EDL和APL等期刊发表SCI论文80多篇，SCI他引2000多次，H因子24，获得授权中国发明专利26项，美国发明专利3项。主持和参加了国家自然科学基金委、国家科技重大专项、863、973等多项关于新型存储技术项目的研究工作。获得了2015年度中国电子学会科学技术进步奖自然类一等奖（第二完成人），2014年度北京市科学技术二等奖1项（第二完成人），2015年度中科院卢嘉锡青年人才奖。

管伟华，中国科学院微电子研究所 硕士研究生 (2005年9月-2008年7月)，目前是美国滨州大学电子系助理教授。

硕士期间师从刘明研究员，研究方向是新型非易失存储技术。在纳米晶浮栅存储器和阻变存储器方面开展了深入的研究工作，主要成果包括：1) 发展了多种纳米晶存储介质的制备工艺，提出了纳米晶存储器保持特性预测模型；2) 提出了纳米晶掺杂的阻变存储器材料优化方案，改善了阻变存储器的参数均匀性和器件产率；3) 阐明了导电通路成分与温度系数之间的关系，发展了阻变存储器中导电通路成分的快速判断方法；在Nat. Commun.、Nano Lett.、PNAS、EDL和APL等期刊发表SCI论文20多篇，获得了2015年度中国电子学会科学技术进步奖自然类一等奖（第三完成人），2014年度北京市科学技术二等奖1项（第三完成人）。

该项目完成人为刘明院士，刘琦研究员，管伟华博士，龙世兵研究员，王艳副研究员，均来自中国科学院微电子研究所。刘明院士是杰青和创新群体负责人，973项目首席科学家；刘琦研究员、龙世兵研究员获国家优秀青年基金；刘琦研究员获卢嘉锡青年人才奖。

本团队在国家自然基金杰青和创新群体、科技部973等项目持续支持下，对阻变存储器的材料、结构、机制、模型、电路设计和集成技术开展了系统研究。团队在EDL/TED（本领域最权威期刊）、Nat. Commun.、Adv. Mater.等期刊共发表相关论文68篇，SCI他引超过2000次，授权中国发明专利39项、美国专利8项。二项工作入选ITRS（国际半导体发展路线图），6篇论文入选ESI高被引论文榜。作为典型进展被莱布尼兹奖获得者Waser、纽约州立大学石溪分校卓越教授Likharev等知名学者写入15本著作和40篇综述。基于本项目的科学发现，项目组成功研制了基于HfO2的1kb RRAM，电子学会组织的鉴定会结论为“电路性能国际领先”。

获奖项目：氧化物阻变存储器机理与性能调

主要完成人：刘明（中国科学院微电子研究所)，刘琦（中国科学院微电子研究所)，管伟华（中国科学院微电子研究所)，龙世兵（中国科学院微电子研究所)，王艳（中国科学院微电子研究所)