北京大学碳基纳电子研究中心是北京大学为发展未来碳纳米管电子学而成立的校级研究中心。

中心在碳纳米管电子学领域开展了十多年的研究，在科技部、北京市科委、国家自然科学基金委和北京大学的共同支持下，取得了一系列的突破性进展：无掺杂CMOS技术、亚10纳米栅长CMOS器件、批量制备碳纳米管晶体管技术、百门级集成电路演示、碳管发光和光电二极管、碳管光伏倍增效应等。

目前获得了20项发明专利，包括3项美国专利。多项工作在相关领域的国际顶级期刊上发表，被包括Nature杂志在内的多家网站和杂志报道。一项工作入选2011年度“中国科学十大进展”。获得国家自然科学二等奖两项，教育部自然科学一等奖一项。有15项成果被写入2009，2011，2013版的国际半导体路线图（ITRS）的新型研究材料（Emerging Research Materials）和新型研究器件（Emerging Research Devices）报告，引起了国际同行的高度重视。

中心为发展未来碳纳米管电子学而建立了专用微加工超净实验室，第一期建设经费2000万，建成后实验室面积约300平米，净化面积200平米。主要设备：光刻设备、电子束蒸发镀膜仪、磁控溅射仪、PECVD、ALD、ICP、各种测试探针台和电学测量仪器、清洗设备、以及光学显微镜、AFM等表征设备。实验室满足碳纳米管器件及其规模集成电路制造和测试的需求，有望建成首条完整的4英寸碳纳米管芯片加工工艺线。

获奖项目：碳基纳米电子器件及集成

主要完成人：彭练矛（北京大学)，张志勇（北京大学)，丁力（北京大学)，王胜（北京大学)，梁学磊（北京大学)